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DMN2075UDW
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1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
C iss
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
T A = 125°C
100
C oss
T A = 85°C
f = 1MHz
C rss
T A = 25°C
T A = -55°C
10
0
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100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
R DS(on)
P W = 10 μ s
10
1
0.1
Limited
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
DMN2075UDW
Document number: DS35542 Rev. 1 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2011
? Diodes Incorporated
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